Glossario:

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Tempo di accesso:
intervallo di tempo caratteristico di un dispositivo di archiviazione che misura il tempo necessario per comunicare con quel dispositivo. Per i dischi rigidi, il tempo d'accesso è determinato dalla somma del tempo di rotazione, del tempo di ricerca, del ritardo rotazionale e del tempo di trasferimento.

ABL (All Bit Line):
la memoria ABL (All Bit Line) è stata introdotta da SanDisk all'ISSCC 2008 come memoria significativamente più veloce rispetto alla memoria "convenzionale". Mentre la memoria convenzionale, per le operazioni effettive, utilizza in modo alternato le celle lungo una riga di parole (WL, Word Line) selezionata, questa tecnologia le usa tutte contemporaneamente. L'architettura ABL offre prestazioni migliori del 100% rispetto ai chip convenzionali. Ulteriori specifiche tecniche portano la prestazione a livelli ancora superiori.

AFM:
La tecnologia Adaptive Flash Management (AFM) di SanDisk migliora le funzioni NAND. AFM include, tra le altre, la tecnologia di gestione flash ExtremeFFS™ basata su pagina, l'architettura ABL (All Bit Line) e i parametri di resistenza.

Angstrom (Å):
unità di misura lineare che corrisponde a 0,1 nanometri. Il diametro di un capello umano è circa 750.000 Å.

Array:
in litografia, schemi ripetuti su una matrice, come una serie di celle di memoria.

Standard ATA 8:
lo standard ATA-8 è progettato per supportare il comando Data Set Management. Questo comando è la chiave per attivare la funzione TRIM.

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Blocco danneggiato:
blocco con difetti di fabbricazione o che è diventato inutilizzabile con il tempo.

Gestione blocchi danneggiati:
metodologia che segnala e isola i blocchi danneggiati in modo che non vengano usati. La gestione dei blocchi danneggiati archivia dati destinati ai blocchi danneggiati in blocchi di riserva.

Bit:
singola unità base di informazione.

Blocco:
divisione fisica di un messaggio costituita da una sequenza di byte o bit con dimensione nominale (lunghezza del blocco) utilizzata per trasferire messaggi. Le operazioni di divisione/indirizzamento dei dati in blocchi è universalmente utilizzata per l'archiviazione di dati su un nastro magnetico a 9 tracce, su supporti rotanti come floppy disk, dischi rigidi, dischi ottici e su memoria flash NAND. In una memoria flash NAND, un blocco definisce la più piccola unità cancellabile. In un disco rigido, un blocco è l'intersezione di una traccia e di un settore. Il suo indirizzo viene specificato fornendo il numero del cilindro, della testina e del settore (CHS).

Boro:
elemento chimico con numero atomico 5 utilizzato per il drogaggio a canale p del silicio.

Byte:
unità di dati composta da 8 bit.

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Canale:
in un MOSFET è un condotto per la corrente tra i materiali semiconduttori di tipo N e di tipo P.

Transistor di memoria a ritenzione di carica:
conserva la carica (elettroni) in una porta mobile.

Circuito:
elementi e componenti elettrici per lo svolgimento di una funzione particolare.

Laboratorio controllato:
area chiusa usata nel processo di produzione con una classe definita che limita i livelli di contaminazione e controlla l'umidità, la temperatura e le particelle nell'aria.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor, semiconduttore ossido-metallo complementare):

processo di fabbricazione che incorpora i transistor MOS a canale P e canale N all'interno lo stesso substrato di silicio.

Cristallo:
solido omogeneo formato da un modello tridimensionale ripetuto di atomi, ioni o molecole che hanno distanze fisse tra le parti costituenti, spesso caratterizzato da facce esterne planari.

Cilindro:
tutte le tracce accessibili su un disco rigido senza spostare la testina.

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Affidabilità dei dati
capacità di un sistema o di un componente di eseguire le funzioni richieste in determinate condizioni e per un periodo di tempo specificato. Per prevedere la prestazione di un prodotto per tutto il suo ciclo di vita vengono eseguite prove speciali (idoneità).

Conservazione dei dati:
periodo di tempo massimo durante il quale i dati scritti possono essere recuperati in modo affidabile dalla memoria non volatile.

Difetto:
irregolarità chimica o strutturale in un cristallo che degrada l'ideale struttura di quest'ultimo o della membrana sopra il wafer.

Matrice:
combinazione di circuiti integrati con funzionalità definite; su un wafer in silicio sono stampati centinaia di circuiti. Le matrici vuote non vengono assemblate.

Isolante dielettrico:
isolante usato per descrivere i non metalli e la loro interazione con i campi elettrici, magnetici o elettromagnetici, inclusa l'archiviazione dell'energia elettrica e magnetica e la sua dissipazione. Molti fenomeni nell'elettronica, nella fisica ottica e allo stato solido possono essere descritti usando le leggi della dielettrica.

Errore di disturbo:
inverte il valore di un bit durante un'operazione di lettura o scrittura.

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EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, memoria a sola lettura programmabile e cancellabile elettricamente):
è una delle prime versioni di memoria non volatile.

Incapsulamento:
processo di inserimento di una matrice in una serie di circuiti per la protezione meccanica e ambientale.

Parametri di resistenza:
SanDisk ha sviluppato il primo sistema di misurazione standard del settore (precedentemente noto come LDE), che indica la quantità di dati che è possibile scrivere su un'unità SSD durante il suo ciclo di vita, espressa attraverso un numero semplice, preciso e coerente. La specifica del parametro è stata sviluppata da SanDisk e sottoposta al JEDEC come benchmark per permettere agli utenti di confrontare la resistenza dei dati nelle unità SSD di vari produttori. Basato sulle attività tipiche dell'utente finale, tale parametro misura il numero totale di scritture di dati, espresso in terabyte scritti (TBW, Terabyte Written), che possono essere eseguite durante il ciclo di vita di un'unità SSD. I dati vengono scritti utilizzando la distribuzione di scrittura delle dimensioni di trasferimento su PC standard, a una velocità costante per l'intero ciclo di vita dell'unità SSD e vengono conservati per almeno 1 anno dall'esaurimento del valore TBW. In base alle misurazioni interne di SanDisk, un utente di PC client tipico scrive 4 GB di dati al giorno.

Resistenza:
numero di cicli di scrittura e cancellazione che una memoria flash può eseguire senza compromettere l'affidabilità dei dati.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory, memoria a sola lettura programmabile e cancellabile):
è una delle prime versioni di memoria non volatile.

Codice di rilevamento/correzione errore (EDC/ECC, Error Detection/Correction Code)
Rileva gli errori e li corregge ricostruendo i dati originali tramite bit extra e consentendo di migliorare la conservazione dei dati.

Incisione:
tecnica di microproduzione per rimuovere chimicamente strati dalla superficie di un wafer durante la realizzazione. L'incisione è un processo fondamentale eseguito ripetutamente su un wafer in numerosi passaggi allo scopo di ridurre al minimo di difetti. Parte del wafer è protetta tramite una maschera che resiste all'incisione. In alcuni casi, la maschera è fotoresistente per poter essere usata dalla fotolitografia durante la modellazione. In altri casi si usa il nitruro di silicio, che è un materiale più robusto.

ExtremeFFS™^*(Extreme Flash File System)
La tecnologia ExtremeFFS™^* consente di prolungare la resistenza delle unità SSD SanDisk  all'interno di PC dotati di sistemi operativi come Windows XP e Windows 7 grazie all'accelerazione delle prestazioni di scrittura casuale. ExtremeFFS utilizza un nuovo approccio alla gestione flash basato su elementi come:

• Algoritmo basato su pagina: la tecnologia ExtremeFFS usa un algoritmo basato su pagina senza accoppiamento fisso tra posizione fisica e logica. Questo permette all'unità SSD SanDisk® di archiviare liberamente un settore di dati scritti nella posizione più opportuna ed efficiente.
• Architettura di non blocco completa: i canali NAND operano in modo indipendente a seconda delle esigenze dell'utente: alcuni canali sono utilizzati nella lettura, mentre altri nella scrittura e nel Garbage Collection.

^*ExtremeFFS è un algoritmo di gestione flash basato su pagina di SanDisk, ottimizzato per i sistemi operativi più diffusi, che potenzialmente permette di aumentare in modo significativo la velocità di scrittura casuale e l'efficienza delle unità SSD, accelerandone le prestazioni e prolungandone la resistenza nei PC

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Stabilimento (impianto di fabbricazione):
stabilimenti di produzione di wafer semiconduttori.

Memoria flash:
memoria non volatile semiconduttrice formata da celle di architettura di memoria a 1 transistor. Il funzionamento della memoria si basa sulla conservazione della carica nell'isolante dielettrico della porta. Una seconda porta sul transistor permette l'archiviazione dei dati e la contemporanea cancellazione elettronica di blocchi di memoria definiti.

Porta mobile:
accumula una carica elettrica per lunghi periodi di tempo anche senza collegamento all'alimentazione. Gli elettroni accumulati nella porta mobile sono rilevati dalla tensione di soglia.

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Porta:
elettrodo che regola il flusso di corrente in un transistor semiconduttore ossido-metallo (MOS, Metal Oxide Semiconductor).

Ossido di porta:
sottile strato di ossido puro, senza difetti, realizzato termicamente. Serve come strato di isolante dielettrico in un MOSFET tra lo scarico e la sorgente.

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Testina (chiamata anche braccio di accesso):
scrive/legge dati dalla superficie del platter di un disco rigido. Ogni testina viene utilizzata su un lato del platter.

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Lingotto:
nell'industria dei semiconduttori, un materiale di silicio che viene lavorato per ottenere il silicio monocristallino. Viene poi tagliato e levigato per ottenere wafer con cui produrre dispositivi che vanno dai microprocessori ai dispositivi di memoria.

Input/output al secondo (IOPS, Input/Output Per Second):
misura del numero di operazioni (ad es. lettura o scrittura) eseguite ogni secondo. Un'unità SSD raggiunge un valore di IOPS più elevato durante l'accesso a file casuali rispetto a un disco rigido.

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JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council):
sviluppatore di standard leader per il settore solid state, formato da oltre 3000 partecipanti nominati da circa 295 società operanti nei 50 comitati dello JEDEC.

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Latenza:
ritardo prima che una determinata operazione possa essere eseguita.

Livello:
metodo logico per stabilire il valore analogico di un bit. 1 bit richiede 2 livelli.

Litografia:
abbreviazione di fotolitografia, una tecnica di microproduzione usata per produrre il modello di circuiti integrati e sistemi microelettromeccanici. Questo termine è stato modificato dal mondo della stampa, sia testuale che illustrativa, dove la litografia si riferisce all'uso di olio o grasso e gomma arabica per dividere una superficie liscia in aree che accettano l'inchiostro e in altre aree idrofile che lo rigettano, creando così uno sfondo.

Indirizzo blocco logico (LBA, Logical Block Address):
schema di indirizzi che numera i blocchi in modo lineare anziché per numeri di cilindro, testina e settore (CHS). L'indirizzo blocco logico generalmente sostituisce lo schema tradizionale di indirizzi di blocchi, sebbene entrambi siano supportati dalle moderne unità SSD e dai dischi rigidi.

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Maschera:
lastra di vetro o quarzo che contiene l'immagine fotografica delle caratteristiche del wafer per definire un singolo strato di processo. La maschera è esposta sopra uno strato fotosensibile, ricopre la superficie di un wafer per esporre o nascondere da vari processi di produzione alcune aree selezionate.

Tempo medio tra guasti (MTBF, Mean Time Between Failure):
periodo di tempo medio che trascorre prima che si verifichi un guasto.

Tempo medio prima del guasto (MTTF, Mean Time To Failure):
periodo di tempo medio che trascorre prima che si verifichi il primo guasto. Usato in sistemi dove di norma il primo guasto è irreversibile.

Cella di memoria:
intersezione di una linea di bit e una riga di parole identifica la posizione in cui un dato è archiviato.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, transistor a effetto di campo semiconduttore ossido-metallo):
dispositivo usato per amplificare o smistare segnali elettronici. È di gran lunga il più comune transistor a effetto di campo sia nei circuiti digitali sia in quelli analogici. Un MOSFET è composto da un canale di materiale semiconduttore di tipo N o tipo P.

Micrometro:
unità di misura metrica lineare che equivale a un milionesimo di metro o 10.000 angstrom.

Legge di Moore:
questa legge, in base a una previsione del 1965, afferma che la densità di transistor raddoppia ogni 1,5/2 anni. Permette la miniaturizzazione dei circuiti integrati.

Cella multilivello (MLC, Multi Level Cell):
in una cella è archiviato più di un bit, ad esempio D2, D3, x4.

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Flash NAND:
memoria non volatile che permette l'accesso sequenziale alle celle di memoria, usa il silicio in modo più efficiente rispetto alla memoria flash NOR e quindi ha costi inferiori per gigabit, raggiunge velocità di scrittura maggiori rispetto alla memoria flash NOR ed è adatta per l'archiviazione di massa dei dati.

Memoria non volatile (NVM, Non-Volatile Memory):
tipo di memoria che trattiene i dati anche in assenza di alimentazione.

Tecnologia di accelerazione nCache™1:
La tecnologia di accelerazione nCache™ è una memoria cache di scrittura non volatile di grandi dimensioni, una funzione esclusiva delle unità SSD SanDisk che migliora le prestazioni di scrittura casuale e garantisce agli utenti un'esperienza superiore. Gli studi compiuti mostrano che nella maggior parte dei casi i sistemi operativi moderni accedono al dispositivo di archiviazione attraverso blocchi di accesso di 4k. La memoria cache viene riempita durante questi piccoli comandi di scrittura e svuotata nel periodo di inattività quando l'host non accede all'unità, eliminando il rischio di perdita dei dati. Per un normale utilizzo quotidiano, le prestazioni di scrittura rilevate dagli utenti sono

Flash NOR:
memoria non volatile che permette l'accesso diretto a ciascuna cella di memoria, usa il silicio in modo meno efficiente rispetto alla memoria flash NAND e quindi ha costi superiori per gigabit, raggiunge velocità di accesso casuale elevate ma velocità di scrittura inferiori rispetto alla memoria flash NAND ed è adatta per l'archiviazione di codici.

Tipo N:
materiale semiconduttore che ha conduttività negativa con un eccesso di elettroni.

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Programmabile una sola volta (OTP, One Time Programmable)
memoria senza limiti di lettura, che può essere scritta una sola volta e non può essere cancellata.

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Pagina:
la più piccola unità scrivibile in una memoria flash NAND.

Platter:
il disco rotante usato nel disco rigido. I dati sono scritti dalla testina sulla superficie del platter, dall'alto verso il basso.

Classi di potenza :
I budget relativi al consumo energetico sono fondamentali per le applicazioni di informatica portatile. L'unità SanDisk i100 supporta classi di potenza, che consentono di limitare le prestazioni SSD e, di conseguenza, contenere il consumo energetico. Questo sistema permette di ottimizzare la flessibilità tra consumo energetico e prestazioni e consente agli OEM di sfruttare i numerosi vantaggi delle unità SSD, anche quando non sono richieste le prestazioni massime.

Scheda circuito stampato (PCB, Printed Circuit Board)
circuito che comprende alcuni dielettrici specifici, materiale isolante a basso costo per supportare meccanicamente e collegare elettricamente i componenti elettronici. Un PCB usa percorsi conduttori, o tracce, incisi da fogli di rame stratificati sopra un substrato non conduttore.

Tipo P:
materiale semiconduttore che ha conduttività positiva con una carenza di elettroni, generalmente ottenuta tramite drogaggio al boro.

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Accesso casuale:
la capacità di accedere a tutti gli elementi in una sequenza senza un ordine speciale nello stesso periodo di tempo.

Memoria ad accesso casuale (RAM, Random Access Memory)
memoria volatile che può essere letta/scritta da posizioni arbitrarie in sequenza arbitraria.

Affidabilità:
la probabilità che un prodotto esegua le funzioni per cui è progettato a determinate condizioni per un tempo specifico.

Giri al minuto (RPM, Revolutions Per Minute):
usati per misurare la velocità di un disco rigido in base al numero di giri al minuto eseguiti dal disco.

 

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SATA uSSD™:
Standard SATA-IO per unità integrate Solid State (SSD). La specifica SATA µSSD™ elimina il connettore modulare dall'interfaccia SATA tradizionale, consentendo agli sviluppatori di predisporre l'implementazione di unità SATA a chip singolo per applicazioni di archiviazione integrate. Lo standard è implementato dal dispositivo di archiviazione integrato SanDisk® iSSD™.

Settore:
parte a forma di fetta sul platter del disco rigido che contiene l'area minima indirizzabile sulla/dalla quale i dati possono essere scritti/letti.

Tempo di ricerca:
il tempo impiegato dalla testina per raggiungere la traccia desiderata sul disco rigido.

Semiconduttore:
materiale solido con caratteristiche di conduttività elettrica comprese tra quelle dei conduttore e degli isolanti.

Silicio:

elemento della tavola periodica usato per realizzare semiconduttori.

Cella a livello singolo (SLC, Single Level Cell):
ogni singolo bit è archiviato in una cella unica.

Identificazione univoca:
processo di taglio di un wafer in singole matrici.

Tempo di rotazione:
tempo necessario per accelerare il disco rigido fino alla velocità operativa.

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Tensione di soglia:
percepisce gli elettroni nella porta mobile e funge da tensione di porta per permettere il flusso di corrente.

Traccia:
cerchi sottili e concentrici sulla superficie del platter del disco rigido utilizzati per identificare la posizione dei dati.

Transistor:
semiconduttore usato come amplificatore o interruttore controllato elettricamente, ed elemento base dei circuiti elettrici fondamentali nei computer, nei cellulari e in altri dispositivi elettronici moderni. Un transistor è composto da materiale semiconduttore con almeno tre terminali per la connessione con un circuito esterno. La tensione o la corrente applicate a due dei terminali modifica il flusso di corrente che passerà attraverso un'altra coppia di terminali. Dal momento che l'energia controllata può essere molto più grande della potenza di controllo, il transistor amplifica il segnale.

Carica residua:
la carica presente nell'ossido di porta che costituisce una parte del processo per l'attivazione della memoria non volatile.

TRIM:
TRIM contribuisce ad aumentare in maniera sostanziale le prestazioni del prodotto, indicando all'unità SSD lo spazio inutilizzato sul supporto e permettendole di gestire in modo continuativo le sue risorse mantenendo prestazioni ottimali per tutto il suo ciclo di vita.

Tunneling:
fenomeno fisico in cui gli elettroni si muovono attraverso uno strato isolante o uno spazio tra due conduttori. Il tunneling è alla base delle operazioni di scrittura e cancellazione in una memoria flash NAND.

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Memoria volatile:
tipo di memoria in cui i dati vanno persi in caso di interruzione dell'alimentazione.

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Wafer:
fetta sottile con facce parallele tagliata da un cristallo semiconduttore come il silicio. Un wafer di silicio viene realizzato da lingotti di silicio.

Livellamento usura:
tecnologia che previene il logorio di blocchi specifici per aumentare la durata di una memoria flash distribuendo uniformemente i dati da cicli ripetuti di scrittura/cancellazione nell'intero supporto flash. Il livellamento dell'usura è particolarmente importante per i file system tipici (ad esempio il file system FAT DOS) e per gli algoritmi di gestione dei file che scrivono/cancellano ripetutamente le posizioni fisiche identiche.

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Resa:
percentuale di matrici valide su un wafer rispetto al numero totale delle matrici.